[发明专利]制备晶体N-亚胺甲基沙钠霉素一水合物(亚胺培南一水合物)的方法无效

专利信息
申请号: 01820715.4 申请日: 2001-11-05
公开(公告)号: CN1481384A 公开(公告)日: 2004-03-10
发明(设计)人: Y·库马尔;N·特瓦里;R·C·阿里亚恩;B·P·拉伊;S·阿户加 申请(专利权)人: 兰贝克赛实验室有限公司
主分类号: C07D477/20 分类号: C07D477/20
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 周承泽
地址: 印度*** 国省代码: 印度;IN
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摘要: 发明涉及一种成本经济且有商业价值的制备结构式I的晶体N-亚胺甲基沙钠霉素一水合物(亚胺培南一水合物)的方法。
搜索关键词: 制备 晶体 亚胺 甲基 霉素 水合物 培南一 方法
【主权项】:
1.一种制备结构式I的晶体N-亚胺甲基沙钠霉素一水合物(亚胺培南)的方法式I这种方法包括(a)活化结构式II的酮酸酯化合物式II其中,p是氢或保护基团,在合适的仲胺存在下,在合适的作为溶剂的N-取代的内酰胺或N,N-双取代的酰胺中,任选地和惰性有机溶剂合用,以获得结构式III化合物式III其中,X是OP(O)(OR)2或OS(O)2R,R是C1-6烷基、C1-6烷芳基、芳基或全氟的C1-6 烷基;术语烷基是指直链或支链且当尺寸足够时可以是环状的,优选的直链或直链的烷基包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基和叔丁基,优选的环烷基包括环丙基、环戊基、环己基和环丙基甲基;术语芳基是指包括苯基、取代的苯基和萘基的芳香环,芳基可以被1-3个独立选自卤素、烷基和卤代的低级烷基的取代基取代,其中的烷基有上述同样的定义,(b)在仲胺存在下,在作为溶剂的N-取代的内酰胺或N,N-双取代的酰胺中,使结构式III的活化的酮酸酯和2-氨基乙硫醇(巯基乙胺)或其盐原位反应以得到结构式IV的沙钠霉素酯式IV其中,p、N-取代的内酰胺和N,N-双取代的胺有上述同样的含义,(c)在仲胺存在下,在N-取代的内酰胺或N,N-双取代的酰胺中使结构式IV的沙钠霉素酯和亚胺甲酸苄酯盐酸盐(C6H5CH2OCH=NH2+Cl-)原位反应以得到结构式V的脒羧酸酯(封闭的N-亚胺甲基沙钠霉素)式V其中,p、N-取代的内酰胺和N,N-双取代的胺有上述同样的含义,(d)将结构式V的封闭的N-亚胺甲基沙钠霉素氢化,以在溶液中产生N-亚胺甲基沙钠霉素(亚胺培南),并对含有反应混合物的溶液进行二价阴离子层析,然后在醇或酮共溶剂存在下进行结晶以生产结构式I的高纯度的晶体N-亚胺甲基沙钠霉素一水合物(亚胺培南一水合物)。
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