[发明专利]用于磁头的籽晶层去除的方法无效

专利信息
申请号: 01820758.8 申请日: 2001-12-21
公开(公告)号: CN1628340A 公开(公告)日: 2005-06-15
发明(设计)人: 理查德·西奥;尼尔·L·罗伯逊;帕特里克·R·韦布 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B5/17 分类号: G11B5/17;G11B5/187;//G11B5/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种用于磁头的籽晶层去除的方法,其中利用对活性离子蚀刻去除技术敏感的籽晶层制造磁头的电镀部件。该籽晶层包括钨或钛并通过溅射淀积过程制造,而且该籽晶层导电,其中电镀部件(比如感应线圈部件和磁极)有效地电镀在制造在籽晶层上的光刻形成的光致抗蚀剂沟上。在电镀之后,利用标准湿法化学处理去除光致抗蚀剂层。利用氟类物质活性离子蚀刻过程,较多地去除籽晶层,氟RIE过程形成了气态氟化钨或氟化钛化合物去除产物。因为气态氟化物不重新淀积,因此克服了籽晶层沿电镀部件的侧面重新淀积的问题。本发明也包括增强的两部分的籽晶层,其中下部分是钨、钛或钽,上部分包括构成要电镀的部件的材料。
搜索关键词: 用于 磁头 籽晶 去除 方法
【主权项】:
1.一种制造磁头的方法,包括如下的步骤:制造所说的磁头的写磁头部分,包括如下的步骤:制造第一磁极;在所说的第一磁极之上制造绝缘层;将籽晶层淀积在所说的绝缘层;将感应线圈电镀在所说的籽晶层上;利用RIE过程去除没有被所说的感应线圈所覆盖的所说的籽晶层部分;其中所说的RIE过程利用氟类物质,而且所说的籽晶层包括与所说的氟类物质形成气态化合物的材料。
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