[发明专利]一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片有效
| 申请号： | 01820799.5 | 申请日： | 2001-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1541405A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | B·吉斯内;F·勒泰特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/302;H01L29/165;H01L29/205;H01L29/267 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;彭益群 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 特别 适用于 光学 电子学 器件 加工 方法 获得 | ||
【主权项】：
1、一种加工基片的方法，该基片包括一薄层，它由构成机械支承的一层所承载；这种基片特别适用于光学、电子学、或光电子学器件；该方法包括以下步骤：·从源基片(6)上分离一层材料，以形成所述薄层(2)；·在所述薄层(2)上由沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成所述机械支承的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
