[发明专利]包括单晶膜的半导体结构无效
| 申请号： | 01820833.9 | 申请日： | 2001-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1481578A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 林迪·L·西尔特;加玛尔·兰姆达尼 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过形成柔顺衬底来生长单晶层(34)，可以在单晶衬底(22)—例如大硅片—上生长单晶材料的高质量外延层(34)。形成柔顺衬底的一个方法包括：首先在硅片(22)上生长适应缓冲层(24)，在缓冲层(24)上生长材料的薄单晶层(26)，并将缓冲层(24)进行退火处理以形成覆盖有单晶材料(26)的非晶层(32)。适应缓冲层(24)与下层硅片(22)和上层单晶材料层(26)都晶格匹配。另外，柔顺衬底的形成可包括利用表面活化剂增强外延、单晶氧化物上单晶硅的外延生长，以及Zintl相材料的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 单晶膜 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.半导体结构，包含：单畴单晶衬底；适应缓冲层，形成在衬底上；以及单晶盖帽层，形成在适应缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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