[发明专利]用于生产晶粒定向电工钢带的工艺有效

专利信息
申请号: 01820837.1 申请日: 2001-12-17
公开(公告)号: CN1481444A 公开(公告)日: 2004-03-10
发明(设计)人: S·福尔图南蒂;S·奇卡莱;C·罗基;G·阿布鲁泽塞 申请(专利权)人: 蒂森克虏伯阿恰伊斯佩恰伊特尔尼有限公司
主分类号: C21D8/12 分类号: C21D8/12;C22C38/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 吴鹏;马江立
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 用于生产晶粒定向电工钢带的工艺,其中,包含至少30ppm的S的硅钢被直接铸造成厚度为1.5-4.5mm的带材,并且冷轧至1.0和0.15mm之间的最终厚度;其特征在于下列步骤:对固化的带材进行冷却和变形,以获得其中600cm-1<lz<1500cm-1和lz=1.9Fv/r(cm-1)的第二相分布,Fv是稳定在小于800℃的温度下的第二相的体积部分,并且r是以cm表示的析出物平均半径;以15和60%之间的减薄率,在不低于750℃下的温度下进行带材固化和卷取之间的热轧;以60-92%的减薄率进行冷轧;在750-1100℃下进行冷轧带材退火,在渗氮气氛中,在带材心部氮的含量相对于原始成分增加至少30ppm。
搜索关键词: 用于 生产 晶粒 定向 电工 工艺
【主权项】:
1、用于生产晶粒定向电工钢带的工艺,其中,以具有1.5和4.5mm之间的厚度的带材的形式对硅钢进行连铸,并且冷轧至1和0.15mm之间的最终厚度,经受一次再结晶退火,并且在比一次再结晶退火温度高的温度下进一步进行二次再结晶退火,其特征在于,在铸造和冷轧步骤之间,在金属基体中析出与从硫化物、硒化物和氮化物中选出的至少一种化合物有关的第二相,作为一次抑制剂,用以减缓晶界移动,所述析出物如此地分布在基体中,以便可以管理和控制一次再结晶的晶粒生长,并且,在冷轧步骤和二次再结晶步骤之间,引发氮化物的进一步析出,以作为二次抑制剂用以与所述一次抑制剂一起在形成最终产品的晶体结构的晶粒取向和尺寸方面控制二次再结晶。
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