[发明专利]脉冲控制的双稳态双向电子开关无效
| 申请号： | 01821077.5 | 申请日： | 2001-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1481586A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 让－米歇尔·西蒙尼特 | 申请（专利权）人： | ST微电子公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脉冲控制的双稳态双向开关，该开关包括一个单片的半导体电路，该电路包括一个竖直双向开关结构(TR；ACS)，该电路还包括一个选通端(G1)；第一(Th1)和第二(Th2)硅控整流器结构，其阳极形成在前表面；第一硅控整流器的阳极区域还包括附加P型区(6)；及一金属层(A1；A2)，分别连接至竖直双向器件的主前表面和第二硅控整流器的阳极。该开关还包括一个电容器(C)，分别连接至第一硅控整流器的阳极和第二硅控整流器的附加P型区；及一个电容器短路开关(SW)。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 控制 双稳态 双向 电子 开关 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲控制的双稳态双向开关，包括：一个单片的半导体电路，由一个少量掺杂的N型衬底(1)构成，衬底的后表面涂有金属涂层(A2)，其中包括：·一个具有选通端(G1)的竖直双向开关结构(TR；ACS)；·第一(Th1)和第二(Th2)硅控整流器结构，它们的阳极形成在前表面，第一硅控整流器的阳极区域还包括附加P型区(6)；·一金属层(A1；A2)，连接至竖直双向器件的主前表面和第二硅控整流器的阳极；一个电容器(C)，连接至第一硅控整流器的阳极和第二硅控整流器的附加N型区；一个电容器短路开关(SW)。
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