[发明专利]机械加固的高度多孔低介电常数薄膜有效
| 申请号： | 01821179.8 | 申请日： | 2001-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1502123A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | L·王 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多孔介质，诸如低介电常数薄膜，可以被制成聚集材料来在提供一个暂时增加的机械强度。这可以通过，例如多孔介质的前序调整处理实现。通过向多孔介质的空隙组分引入辅助成分，机械特性被暂时提高以便使多孔薄膜具有类似于更坚硬的薄膜的机械特性。根据本发明的方法允许对Cu大马士革互连技术中的高度多孔夹层介电质(ILD)的有效处理。一旦处理操作诸如要求比由多孔薄膜单独提供的机械强度大的机械强度的Cu化学机械抛光(CMP)完成之后，可以通过诸如替代或者溶解的方法村除去辅助成分。 | ||
| 搜索关键词： | 机械 加固 高度 多孔 介电常数 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包括：在衬底上形成多孔介电材料，多孔材料具有多个孔；使用至少一种材料填充至少一部分孔；随后在介电材料上执行一个操作；和除去至少一种材料的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
