[发明专利]改进的光发射二极管在审
| 申请号： | 01821281.6 | 申请日： | 2001-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1516901A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | H·刘;X·程 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L29/12;H01L29/22;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体光发射二极管，其包括形成于基片(100)的同一侧的，密置分开的n和p型电极，以形成一具有小具体结构(footprint)的LED。一种半透明U形p型连接层(102)沿着其下的窗口层(101)的顶表面的3个边形成。p型电极(103)形成于p连接层上，且位于U形的闭合端的中心。一n型连接层(105)形成于覆层(203)上，且位于p型连接层(102)的U形开口端的中心。n型电极(106)形成于n型连接层(105)上。n型和p型电极间由位于电极间的凹槽(107)或绝缘体电绝缘实现电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 发射 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光发射二极管结构，包括：一基片；在所述基片的同一侧面上横向分开的第一和第二电极；和形成于所述二极管结构中，使所述电极相互隔离的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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