[发明专利]用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法无效
| 申请号： | 01821381.2 | 申请日： | 2001-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1483004A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | H·斯里德哈拉穆蒂;M·巴纳;J·D·霍尔德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C03B15/00 | 分类号： | C03B15/00;C03B29/06;C03B35/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;李峥 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于生产具有降低了铁污染的硅单晶的方法和装置。所述装置包含至少一个由石墨衬底和碳化硅保护层构成的结构元件，所述碳化硅保护层覆盖暴露在生长室气氛中的衬底表面。石墨衬底具有不高于约1.5×1012原子/cm3的铁浓度，而碳化硅保护层具有不高于约1.0×1012原子/cm3的铁浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 污染 单晶硅 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产以直拉法生长的硅单晶的拉晶装置，所述装置包括：一个生长室；和一个设置在生长室内的结构元件，所述结构元件包括一个衬底和一个覆盖暴露于生长室气氛中的衬底表面的保护层，所述衬底包括石墨并具有不高于约1.5×1012原子/cm3的铁浓度，所述保护层包括碳化硅并具有不高于约1.0×1012原子/cm3的铁浓度。
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