[发明专利]用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备无效
| 申请号： | 01821517.3 | 申请日： | 2001-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1784777A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 伦道夫·E·特勒 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备。在一种用于在旋转处理操作期间监测半导体晶片的方法中，当晶片被旋转时测量在电容传感器(124)和晶片(116)之间的电容值。当确定测量的电容值达到希望的(如基本恒定)水平时，产生一个指示半导体表面处于希望状态(如干燥)的信号(130)。在另一方法中，当晶片被旋转时将光指向晶片的表面，使得从晶片表面反射的光基本垂直于晶片的表面。测量从晶片表面反射的光强。当测量的从晶片表面反射的光强达到对应于当表面处于希望状态时测量的从晶片表面反射的光强的强度水平时，产生一个指示晶片表面处于希望状态的信号。在用于旋转干燥半导体晶片的方法中，响应于该信号停止晶片的旋转。还描述了一种用于旋转干燥半导体晶片的包括电容传感器或干涉传感器的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 旋转 干燥 操作 期间 监测 半导体 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于在旋转处理操作期间监测半导体晶片的方法，包括：当半导体晶片被旋转时测量在电容传感器和半导体晶片之间的电容值；确定何时测量的电容值达到希望水平；以及产生一个指示半导体晶片表面达到希望状态的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
