[发明专利]半导体工艺设备的氮化硼/氧化钇复合材料部件及其制造方法有效
| 申请号： | 01821557.2 | 申请日： | 2001-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1484712A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | R·J·奥多尼尔;C·C·常;J·E·道格尔蒂 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/40;C23C16/34;H01L21/00;H01J37/32;B01J19/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体工艺设备如等离子体腔的一种包括一个含氮化硼/氧化钇复合材料的表面的抗腐蚀部件，及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 氮化 氧化钇 复合材料 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法，该方法包括：(a)可选地，在半导体工艺设备部件表面沉积一个第一中间涂层；(b)可选地，在上述第一中间涂层或者上述表面上沉积一个第二中间涂层；并(c)在上述部件上沉积一个含氮化硼/氧化钇复合材料的涂层以形成一个抗侵蚀的外表面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
