[发明专利]互连结构和无电镀引入互连结构的方法有效
| 申请号： | 01821577.7 | 申请日： | 2001-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1484856A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | P·J·麦克格雷戈尔;C·托马斯;M·达塔;V·杜宾 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;陈霁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括在一接触点(120)上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，并经一种化学引发的氧化－还原反应引入一导电的分路材料(180)。一种方法包括在一接触点上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，在互连结构露出的表面上面引入有一氧化值的一导电分路材料，并还原此分路材料的氧化值。一种装置包括一片含有带接触点的一器件的基片、一层盖住器件并有一窗孔通向接触点(120)的介质层(130)、以及配置在含有一种互连材料和一种不同导电分路材料(180)的窗孔中的一互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 电镀 引入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在穿过一接触点上的一电介质的一窗孔内引入一互连结构的一部分；并且经过化学引发的氧化一还原反应邻近此互连结构的此部分引入一导电的分路材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
