[发明专利]连续淀积系统无效
| 申请号： | 01821598.X | 申请日： | 2001-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1500285A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | A·霍索卡瓦 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/00;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;彭益群 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于处理衬底的设备和方法，其中该设备包括用于在处理环境内传送衬底的至少一个衬底承载部件；设置在处理环境中的至少一个温度控制板与至少一个衬底承载部件选择连通并用于在处理环境中从外部衬底传送装置向衬底承载部件传送衬底和调整处理环境的温度。构成为在衬底上淀积选择膜的至少一个淀积装置和退火装置在处理环境中靠近至少一个衬底承载部件设置。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 系统 | ||
【主权项】：
1、一种用于处理至少一个衬底的设备，该设备包括：用于在处理环境内传送衬底的至少一个衬底承载部件；选择地与至少一个衬底承载部件连通的至少一个温度控制板；和在处理环境中靠近至少一个衬底承载部件的处理路径设置的至少一个淀积装置，该至少一个淀积装置构成为在衬底上淀积选择的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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