[发明专利]自行钝化铜雷射熔丝有效
| 申请号： | 01821599.8 | 申请日： | 2001-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1502131A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | H·J·巴思 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一集成电路结构中，其改善系包含一自行钝化铜熔丝，其特征为抗氧化与腐蚀，在一供给能量的雷射烧断该熔丝之后，改善在铜与金属化线路之间与在该铜与一介电层盖之间接口的黏着，该熔丝系包含一金属化线路，一衬垫，系分开该金属化线路、一组合铜合金种晶层与一纯铜层，一介电层，系围绕该衬垫，以及一介电层盖，系设置于围绕的该介电层、该衬垫、该组合铜合金种晶层与该纯铜层，该雷射熔丝在雷射供给能量后，其特征为钝化区域，系位于在敞开的铜熔丝表面上，以及在接口中，该接口系位于该铜合金种晶层、该衬垫与该介电层之间，以及该纯铜层与该介电层盖之间。 | ||
| 搜索关键词： | 自行 钝化 雷射 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，系包含一自行钝化铜雷射熔丝，其特征为抗氧化与腐蚀，在一供给能量的雷射烧断该熔丝之后，改善在铜与金属化线路之间与在该铜与一介电层盖之间接口的黏着，该熔丝系包含：一金属化线路；一衬垫，系分开该金属化线路、一组合铜合金种晶层与一纯铜层；一介电层，系围绕该衬垫；以及一介电层盖，系设置于围绕的该介电层、该衬垫、该组合铜合金种晶层与该纯铜层，该雷射熔丝在雷射供给能量后，其特征为自行钝化区域，系位于：a)在敞开的铜熔丝表面上；以及b)在接口中，该接口系位于：i)该铜合金种晶层、该衬垫与该介电层之间；以及ii)该纯铜层与该介电层盖之间。
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