[发明专利]使用低介电常数绝缘层的薄膜晶体管衬底及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列衬底，包括：一绝缘衬底；一形成于该绝缘衬底上的第一信号线；一形成于该第一信号线上的第一绝缘层；一形成于该第一绝缘层上并横越该第一信号线的第二信号线；一与该第一和该第二信号线连接的薄膜晶体管；一第二绝缘层，由一介电常数不大于4.0的CVD层形成并位于该薄膜晶体管上，该第二绝缘层有一暴露该薄膜晶体管的预定电极的第一接触孔；和一第一像素电极，形成于该第二绝缘层上，同时经该第一接触孔与该薄膜晶体管的该预定电极连接。