[发明专利]具自行钝化铜合金之铜垫\接合\铜线有效

专利信息
申请号: 01821652.8 申请日: 2001-11-14
公开(公告)号: CN1484857A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: H·-J·巴斯 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术北美公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/485;H01L23/532;H01L23/49;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;梁永
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种集成电路结构,其改进系包含一线接合铜垫铜线组件,其中该铜垫铜线组件特征为自行钝化、低电阻、高接合力以及改进的抗氧化与腐蚀,该铜垫铜线组件系包含一金属化线路,一衬垫,系分开该金属化线路与围绕一铜垫的一铜合金,一介电层,系围绕该衬垫,以及一铜垫,系与一铜合金线接合,该铜线组件其特征为自行钝化区域系位于一掺杂丰富接口,其中该掺杂丰富接口系位于该铜合金与该衬垫之间、该铜垫的一表面、在该铜垫与该铜合金线间之一接合的一表面、及该铜合金线的一表面。
搜索关键词: 自行 钝化 铜合金 接合 铜线
【主权项】:
1.一种集成电路结构,其改进系包含一线接合铜垫铜线组件,其中该铜垫铜线组件特征为自行钝化、低电阻、高接合力以及改进的抗氧化与腐蚀,该铜垫铜线组件系包含:一金属化线路;一衬垫,系分开该金属化线路与围绕一铜垫的一铜合金;一介电层,系围绕该衬垫;以及一铜垫,系接合至一铜合金线,该铜线组件其特征为自行钝化区域,系位于:a)一掺杂丰富接口,系位于该铜合金与该衬垫之间;b)该铜垫的一表面;c)在该铜垫与该铜合金线间之一接合的一表面;d)该铜合金线的一表面。
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