[发明专利]采用集成电路技术的光敏传感器无效

专利信息
申请号: 01821671.4 申请日: 2001-12-20
公开(公告)号: CN1484863A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: P·坎布;G·西蒙;G·布沙拉特 申请(专利权)人: 埃特美儿格兰诺勃股份有限公司
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L27/146;H04N5/225;//G02B5/32
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 吴明华
地址: 法国圣*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及光敏传感器,尤其是用CMOS集成电路技术制成的光敏传感器。传感器(40)包括一基片(42),所述基片具有形成接受光射线(r1、r2、r3、r4、r5、r6)的感光表面的一像素阵列(16、44),并且所述基片在光射线的通路中包括具有一记录好的全息图的一全息层,所述全息层具有相应于空间扩散功能的相反的光学功能,以使以扩散的倾斜入射角到达该层的光射线靠近感光表面的法线。本发明可应用于低成本的数码照相机、光学传感器。
搜索关键词: 采用 集成电路 技术 光敏 传感器
【主权项】:
1.一种光敏传感器,尤其是用CMOS技术制成的光敏传感器,它包括一基片,所述基片具有形成接受光射线(r1、r2、r3、r4、r5、r6)的一感光表面的一像素阵列(16、44),其特征在于,它在光射线的通路中包括具有一记录好的全息图的一全息层,所述全息层具有对应于空间扩散功能的相反的光学功能,以使以扩散的倾斜入射角到达该层的光射线靠近感光表面的法线。
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