[发明专利]采用集成电路技术的光敏传感器无效
申请号: | 01821671.4 | 申请日: | 2001-12-20 |
公开(公告)号: | CN1484863A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | P·坎布;G·西蒙;G·布沙拉特 | 申请(专利权)人: | 埃特美儿格兰诺勃股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L27/146;H04N5/225;//G02B5/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 吴明华 |
地址: | 法国圣*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及光敏传感器,尤其是用CMOS集成电路技术制成的光敏传感器。传感器(40)包括一基片(42),所述基片具有形成接受光射线(r1、r2、r3、r4、r5、r6)的感光表面的一像素阵列(16、44),并且所述基片在光射线的通路中包括具有一记录好的全息图的一全息层,所述全息层具有相应于空间扩散功能的相反的光学功能,以使以扩散的倾斜入射角到达该层的光射线靠近感光表面的法线。本发明可应用于低成本的数码照相机、光学传感器。 | ||
搜索关键词: | 采用 集成电路 技术 光敏 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种光敏传感器,尤其是用CMOS技术制成的光敏传感器,它包括一基片,所述基片具有形成接受光射线(r1、r2、r3、r4、r5、r6)的一感光表面的一像素阵列(16、44),其特征在于,它在光射线的通路中包括具有一记录好的全息图的一全息层,所述全息层具有对应于空间扩散功能的相反的光学功能,以使以扩散的倾斜入射角到达该层的光射线靠近感光表面的法线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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