[发明专利]电诱发纳米结构击穿的系统及方法有效

专利信息
申请号: 01821708.7 申请日: 2001-12-21
公开(公告)号: CN1484865A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: P·阿沃里斯;P·科林斯;R·马特尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L51/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;梁永
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底,其包含一源极电极,一漏极电极,及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极,以耗尽该半导电组分纳米管之载流子,施加一电流经由该纳米管,由一源极电极至一漏极电极,及破裂至少一个金属组分纳米管,以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。
搜索关键词: 诱发 纳米 结构 击穿 系统 方法
【主权项】:
1.一种用以形成一器件之方法,该方法包含步骤: 提供一衬底; 提供多个纳米管与该衬底接触;及 使用一电流以选择性地破裂一纳米管。 2.如权利要求1所述之方法,其中该衬底是绝缘衬底。
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