[发明专利]电诱发纳米结构击穿的系统及方法有效
申请号: | 01821708.7 | 申请日: | 2001-12-21 |
公开(公告)号: | CN1484865A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | P·阿沃里斯;P·科林斯;R·马特尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L51/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底,其包含一源极电极,一漏极电极,及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极,以耗尽该半导电组分纳米管之载流子,施加一电流经由该纳米管,由一源极电极至一漏极电极,及破裂至少一个金属组分纳米管,以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。 | ||
搜索关键词: | 诱发 纳米 结构 击穿 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用以形成一器件之方法,该方法包含步骤: 提供一衬底; 提供多个纳米管与该衬底接触;及 使用一电流以选择性地破裂一纳米管。 2.如权利要求1所述之方法,其中该衬底是绝缘衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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