[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，它可避免因上部电极露出所导致的电容绝缘膜的特性降低。本发明在半导体存储器件的动态随机存取存储体(DRAM)存储单元中，第一层间绝缘膜上，设置有连接至位元线插塞的位元线，以及局部布线。而遍及于金属掩膜、上部势垒金属、铂(Pt)膜(铂膜)以及钛酸锶钡(BST)膜的侧面，设置有包含氧化铝钛膜(TiAlN)的导体侧壁。构成上部电极的铂(Pt)膜上未设置接点，而透过导体侧壁、虚设下部电极、虚设单元插塞以及局部布线，使上部电极连接至上层布线(铜布线)。由于铂(Pt)膜未曝露在还原性气体中，故可防止电容绝缘膜的特性降低。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征是：包含：存储电容部分，设置在半导体基板上的绝缘层上，由下部电极、上部电极以及位于下部电极与上部电极之间的电容绝缘膜所构成；电容绝缘膜延长部分以及上部电极延长部分，其分别与上述存储电容部分的上部电极和电容绝缘膜相连接设置；虚设导体部件，设置为包含位于上述上部电极延长部分以及上述电容绝缘膜延长部分的下方部分；导体侧壁，设置为遍布上述上部电极延长部分以及上述电容绝缘膜延长部分的侧面，并连接到上述虚设导体部件；以及上层布线，其电性连接于上述虚设导体部件。