[发明专利]用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法无效
| 申请号： | 01821842.3 | 申请日： | 2001-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1633526A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | H·斯里德哈拉默西;M·巴纳;J·D·霍尔德;L·W·弗里 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法具有一个基座组件，该基座组件包括一个基座，该基座设置在拉晶机内用于安放和保持一个坩埚。基座的侧壁与坩埚的侧壁成基本径向相对的关系。该组件的一个密封件适于与坩埚侧壁和基座侧壁成紧密接触关系，以便在坩埚和基座之间基本密封由坩埚与基座反应生成的任何气态产物，防止这气态产物从坩埚和基座之间逸出，从而禁止坩埚与基座的反应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 半导体材料 拉晶机 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产单晶锭的拉晶机，所述拉晶机包括：一个基座，所述基座具有一个底部和一个侧壁；一个用于装熔化的源材料的坩埚，所述坩埚安放在基座中并具有一个侧壁，该侧壁与基座侧壁以基本径向相对的关系设置；一个加热器，所述加热器与基座和坩埚热流通，用于将坩埚加热到足以熔化坩埚所装的源材料的温度；一个拉晶机构，所述拉晶机构设置在坩埚的上方，用于从坩埚所装的熔化的源材料中提拉晶锭；及一个密封件，所述密封件适于与坩埚侧壁和基座侧壁成紧密接触关系，以便在坩埚和基座之间基本密封由坩埚与基座的反应而生成的任何气态产物，防止该气态产物从坩埚和基座之间逸出，从而阻止了坩埚与基座的反应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01821842.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：工件湿处理的输送带式水平处理线和方法
- 下一篇：多孔材料的染色方法
