[发明专利]低K技术中的铜通孔有效

申请号：	01821895.4	申请日：	2001-12-19
公开（公告）号：	CN1545726A	公开（公告）日：	2004-11-10
发明（设计）人：	史蒂文·H·伯特切尔;赫伯特·L·霍;马克·霍因凯思;李贤求;王允愈;黄洸汉	申请（专利权）人：	国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
主分类号：	H01L21/44	分类号：	H01L21/44;H01L21/4763
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	在具有铜互连和低k层间电介质的集成电路中，发现热处理后开路的问题，通过Ti第一衬层(42)、随后的CVDTiN保形衬层(46)、依次随后的TA或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而增强通孔和底铜层之间的粘附力，同时把由Ti和铜之间合金化引起的电阻增加减小到可接受的值。
搜索关键词：	技术中的铜通孔
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【主权项】：

1.一种在集成电路中形成铜互连的方法，包括以下步骤：(a)淀积和构图第一铜互连层(30)；(b)淀积第一低介电常数层间介质层(40)；(c)形成一组通孔，所述通孔穿过所述的第一低介电常数层间介质层，中止在所述第一铜互连层上；(d)在所述的通孔组内淀积Ti第一衬层(42)；(e)在所述的通孔组内淀积CVD TiN第二衬层(46)；(f)在所述的通孔组内淀积由Ta或TaN组成的第三衬层(48)；(g)淀积和构图第二铜互连层(50)；

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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