[发明专利]电磁耦合器无效
申请号: | 01822004.5 | 申请日: | 2001-10-29 |
公开(公告)号: | CN1486540A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | R·阿米尔塔拉亚;J·本哈姆;N·马克特卡 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H04B5/00 | 分类号: | H04B5/00;G06K7/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开一种电磁(EM)耦合器,它包括具有第一几何结构的第一传输结构和具有第二几何结构并且与第一传输结构形成电磁耦合器的第二传输结构,这样选择所述第一和第二几何结构、以便降低电磁耦合对所述第一和第二传输结构的相对位置的敏感性。 | ||
搜索关键词: | 电磁 耦合器 | ||
【主权项】:
1.一种装置,它包括:具有第一几何结构的第一传输结构;以及具有第二几何结构并且与所述第一传输结构形成电磁(EM)耦合器的第二传输结构,所述电磁耦合器具有耦合系数,这样选择所述第一和第二几何结构、使得所述耦合系数在所述第一和第二传输结构的相对位置范围内保持相对地恒定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01822004.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。