[发明专利]制造包括硅和低温共烧陶瓷的电子学器件的方法和用该方法产生的器件无效
| 申请号： | 01822130.0 | 申请日： | 2001-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1494739A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 兰迪·T·派克;查尔斯·M·牛顿;卡罗尔·格梅伦;雷蒙德·C·拉姆弗;贝蒂·奥多德 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L23/473;H01L23/427;B81B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造一种电子学器件的方法，包括把第一和第二部件位置放好以使其对应表面互相接触，该第一部件包含硅而该第二部件包含一种低温共烧陶瓷(LTCC)材料。该方法还包括把第一和第二部件的相对表面阳极接合在一起以在其间形成密封封接。该阳极接合在二个部件之间提供一种可靠及强的结合而没有用粘结剂。该方法还包括在第一和第二部件的至少一个部件内形成至少一个冷却结构。该至少一个冷却结构包含在第一部件内的至少一个第一微流体冷却结构，以及第二部件内和该至少第一微流体冷却结构对齐的至少一个第二微流体冷却结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 低温 陶瓷 电子学 器件 方法 产生 | ||
【主权项】：
1.制造电子学器件的一种方法，包括：放置第一和第二部件，使得其相对的表面互相接触，第一部件包含硅，而第二部件包含低温共烧陶瓷(LTCC)材料；以及对第一和第二部件的相对表面进行阳极接合，以在其间形成密封的封接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
