[发明专利]红外线传感器无效
| 申请号： | 01822193.9 | 申请日： | 2001-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1488070A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 柴山胜己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;G01J5/02;H01L37/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、SiO2、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分的上部形成到基板的上部；该SiO2形成于多晶硅膜上，具有空心部分上部的第1接触孔和基板的上部第2接触孔；该铝膜通过第1连接孔与多晶硅膜连接，与通过第2接触孔邻接的多晶硅膜连接；该热吸收层覆盖第1接触孔的上部地形成于空心部分的上部；铝膜在空心部分的上部隔着该对应的多晶硅膜和SiO2层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种红外线传感器，其特征在于：具有支承构件、多晶硅配线层、绝缘膜、铝配线层、及红外线吸收层，该支承构件包含由绝缘材料构成的支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅配线层从上述空心部分的上部形成到上述基板的上部，具有预定的导电型；该绝缘膜形成于上述多晶硅配线层上，具有形成于上述空心部分的上部的第1接触孔和形成于上述基板上部的第2接触孔；该铝配线层通过上述第1接触孔连接到多晶硅配线层，与通过上述第2接触孔邻接的上述多晶硅配线层连接；该红外线吸收层覆盖上述第1接触孔的上部地形成于上述空心部分的上部，与通过上述第1接触孔与对应的多晶硅配线层连接的铝配线层在上述空心部分的上部成为该对应的多晶硅配线层的上层地隔着上述绝缘膜层叠。
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