[发明专利]铁电存储电路及其制造方法

摘要

一种铁电存储电路(C)包括铁电聚合物薄膜(F)形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元(F)的第一和第二电极(E₁、E₂)，由此单元的极化状态可通过向电极(E₁、E₂)施加适当电压来设置、转换和检测。电极(E₁、E₂)中至少一个包括：至少一个接触层(P₁、P₂)，所述至少一个接触层(P₁、P₂)包含与存储单元(C)接触的导电聚合物；以及可选的接触导电聚合物(P₁、P₂)的金属薄膜的第二层(M₁、M₂)，由此所述电极(E₁、E₂)中至少一个仅包括导电聚合物接触层(P₁、P₂)或者包括导电聚合物接触层(P₁、P₂)和金属薄膜层(M₁、M₂)的组合。一种制造这种铁电存储电路的方法包括以下步骤：将导电聚合物薄膜的第一接触层淀积在衬底上；随后将铁电聚合物薄膜淀积在第一接触层上，然后再将第二接触层淀积在铁电聚合物薄膜之上。

主权项

1.一种铁电存储电路(C)，它包括铁电聚合物薄膜(F)形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元(F)的第一和第二电极(E1、E2)，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极(E1、E2)施加适当电压来设置、转换以及检测，其特征在于所述电极(E1、E2)中至少一个包括：至少一个接触层(P1、P2)，所述至少一个接触层(P1、P2)包含与所述存储单元(C)接触的导电聚合物；以及可选的接触所述导电聚合物(P1、P2)的金属薄膜的第二层(M1、M2)，由此，所述电极(E1、E2)中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层(P1、P2)或者包括导电聚合物接触层(P1、P2)和金属薄膜层(M1、M2)的组合。