[发明专利]被处理体的处理方法及处理装置无效
| 申请号： | 01822329.X | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1502120A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 菱屋晋吾;古泽纯和;梅泽好太;林輝幸;齐藤美佐子;佐藤昌一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种被处理体的处理方法，其特征是，具有，将附着有有机物的被处理体放入反应室的工序、以及、将所说反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所说有机物从所说被处理体上除去的工序；所说处理气体含有氧化性气体和还原性气体，将所说反应室的温度加热到可使所说氧化性气体和所说还原性气体活化的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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