[发明专利]硅锗双极型晶体管有效
| 申请号： | 01822375.3 | 申请日： | 2001-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1502124A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | J·O·徐;D·D·库尔鲍格;J·S·顿恩;D·格林伯格;D·哈拉梅;B·杰甘内森;R·A·约翰逊;L·兰泽罗蒂;K·T·舍恩伯格;R·W·沃斯里奇 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造SiGe双极型晶体管的方法，该SiGe双极型晶体管包括在集电区和SiGe基区中的碳，其方法包括下列步骤：(a)提供一种结构，其至少包括一双极型器件区，所述双极型器件区至少包括在半导体衬底内形成的第一导电类型的集电区；(b)在所述集电区上淀积SiGe基区，其中在所述淀积期间，碳穿过集电区和SiGe基区连续生长；和(c)在所述SiGe基区上面形成图形化的发射区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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