[发明专利]在窄半导体结构中用于改善硅化物形成的帽盖层无效
| 申请号： | 01822412.1 | 申请日： | 2001-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1568538A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·J.·吉沃特;斯蒂芬·B.·布洛德斯基;小西里尔·卡布拉尔;安瑟尼·G.·德莫尼库奇;克雷格·M.·兰塞姆;王允愈;霍雷肖·S.·维尔德曼;黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种为包括在硅(1)上的硅化物形成金属(2)的半导体结构形成帽盖层的方法。根据本发明，形成覆盖半导体结构并与硅化物形成金属(2)接触的氮化物层(51)。通过在特征为氮气流小于45sccm的环境中从靶上溅射形成该层。因此，该层缺乏氮，从而避免了在硅上的自然氧化层(11)上形成氧氮化物，并且没有抑制硅(1)和金属(2)之间的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 用于 改善 硅化物 形成 盖层 | ||
【主权项】：
1.一种为半导体结构形成帽盖层的方法，该半导体结构包括覆盖硅(1)的硅化物成金属(2)，该方法包括以下步骤：形成覆盖半导体结构并与硅化物形成金属(2)接触的氮化物层(51)；其中所述形成步骤包括在特征为氮气流小于大约45sccm的环境中从靶上溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
