[发明专利]微机电结构切换多级可变电容及其制作方法有效
| 申请号： | 01822646.9 | 申请日： | 2001-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1529890A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | Q·马;V·R·娆;P·程 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G5/16 | 分类号： | H01G5/16;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种分级的微机电结构(MEMS)电容器，它由可以在该分级电容器的电路中的多个MEMS开关激励，或者，它们可以由一个独立电路进行激励。还可以通过在分级MEMS电容器结构中提供至少一个可变电容器，按照电容量的中间级改变该分级电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 结构 切换 多级 可变电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种微机电(MEMS)电容器，该电容器包括：电路中的多个并联排列的MEMS电容器；以及至少一个开关，与在第一电路中的所述多个MEMS电容器中的至少一个串联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01822646.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相联存储器系统、网络设备及网络系统
- 下一篇：固体电子元件的制造
