[发明专利]层状介电纳孔材料及其制备这种材料的方法无效
| 申请号： | 01822726.0 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1555575A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·G·西科尼亚 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;马崇德 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了生产层状低介电常数纳孔材料的组合物和方法，其包含与基板毗邻的第一层、与第一层毗邻的第二纳孔层、和与第二层毗邻的附加层。本发明的层状介电体使用纳孔材料制备，通过(a)在基板上沉积第一层；(b)沉积第二层，其是纳孔的并且与第一层毗邻；(c)处理第二层材料产生纳孔；和(d)沉积至少一个附加层，其部分与第二层毗邻。也可以在基板层和第一层之间设置导线层或其它电子元件层。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 电纳 材料 及其 制备 这种 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种层状低介电常数纳孔材料，包含：与基板毗邻的第一层；第二层，其是纳孔的并与第一层毗邻；和一个附加层，其部分地与第二层毗邻。
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