[发明专利]用于铜、钽和氮化钽的化学机械法平面化的组合物

摘要

铜、钽和氮化钽表面的化学机械法平面化或自旋蚀刻法平面化是由采用本发明的化学配方实现的。本化学配方可任选包含研磨微粒，并且这类微粒可以是化学活性的或惰性的。接触性或非接触性CMP可以借助本化学配方来实施。可以达到对Cu和Ta/TaN基本上为1∶1的去除率选择性。

主权项

1.一种供Cu/Ta/TaN表面平面化用的蚀刻溶液，它包含：a)选自(NH4)2S2O8，H2O2，HNO3及其混合物的氧化反应物；和b)选自H3PO4，H2SO4，HNO3，草酸，醋酸，有机酸及其混合物的共反应物；和c)其它添加剂，所述添加剂选自HCl，脂肪醇，丁化羟基甲苯，阿格多尔(Agidol)-2，2，6-双-叔-4[(二甲氨基)甲基]苯酚，2，6-双-叔-4N，N-二甲氨基甲基苯酚，硼砂，乙二醇，ZnSO4，甲醇，丙醇，聚(氧化乙烯)十二烷醚，苹果酸，HOOC(CX2)nCOOH(式中X＝OH，胺，H和n＝1～4)，3％酒石酸，1％乙二醇，1，2，4-三唑，1，2，3-三唑，四唑，非离子型表面活性剂，乙醇，三氟乙醇，SiF6，有机盐表面活性剂，聚乙烯醇，二苯基氨基磺酸，草酸钠，苯并三唑，木质素磺酸钠，二醇，胶质羧甲基纤维素，胺，重金属盐，Cu和Ta的盐，KCl，CuCl2，SnCl2，丙二醇，2-乙基己基胺，碳酸铜，低分子量的醇，二醇，酚，脂肪醇，聚乙烯醇，阴离子型表面活性剂，阳离子型表面活性剂，氟碳基表面活性剂，具有优先粘附某些材料，借此能改善所粘附之处的化学反应性的特性的非离子型表面活性剂，聚乙烯醇溶液稳定剂和能防止氧化剂自然分解的物质，湿润剂，及其混合物。