[发明专利]测定绕线可靠性之电子迁移测试结构无效
| 申请号： | 01822839.9 | 申请日： | 2001-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1502132A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | J·发泽卡斯;A·马丁;J·冯哈根 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系一种测定绕线可靠性之电子迁移测试结构，在这个测试结构的第一个测试结构连接区(I1)及第二个测试结构连接区(I2)之间有一个包括一个电迁移区(L)及一个电迁移阻障区(V)的待测试区。为了能够以快速加速测试的方式直接精确的估计(半导体电路或薄膜电路的)最大使用寿命，故在非常靠近电迁移阻障区(V)的位置设置第一个感应器接头(S1)及第三个感应器接头(S3)，并在第二个测试结构连接区(I2)旁设置第二个感应器接头(S2)。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 可靠性 电子 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种测定绕线可靠性之电子迁移测试结构，此种电迁移测试结构具有：--用来施加加热电流的第一个测试结构连接区(I1)及第二个测试结构连接区(I2)；--一个待测试区，此待测试区包括一个具有固定的材料流的电迁移区(L)及一个具有较小的材料流的电迁移阻障区(V)，而且系设置在两个测试结构连接区(I1，I2)之间；--用来记录待测试之电迁移阻障区(V)及电迁移区(L)失效的第一个感应器接头(S1)及第二个感应器接头(S2)；此种电迁移测试结构之特征为：第三个感应器接头(S3)在直接接 近电迁移阻障区(V)的位置与电迁移区(L)接通，而且电迁移区(L)的构造方式使其能够在内部形成大致均匀的温度分布。
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