[发明专利]由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构有效
| 申请号： | 01822901.8 | 申请日： | 2001-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1518762A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | S·M·盖茨;J·C·赫德里克;S·V·尼塔;S·普鲁肖特哈曼;C·S·蒂贝格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的。这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。 | ||
| 搜索关键词： | 二种旋涂式介电 材料 组成 混合式 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包含：一基板，而于其表面上形成有经图案化的混合式低k介电材料，该经图案化的混合式低k介电材料具有一约2.6或更低的有效介电常数，并包含一底部旋涂式介电材料及一顶部旋涂式介电材料，其中该底部及顶部旋涂式介电材料具有不同的原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少其一是多孔的；一抛光停止层，形成于该图案化的混合式低k介电材料上；以及金属导电区域，形成于该图案化的混合式低k介电材料中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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