[发明专利]半导体集成电路器件和用于制造半导体集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 01822929.8 | 申请日： | 2001-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1516900A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山本直树;田边义和;小粥敬成;吉田武彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜24的形成，所述WNx膜24构成一个具有多金属结构的栅电极7A的阻挡层，从而在形成栅电极7A之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜24中的释放。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：(a)一个具有第一主表面的半导体集成电路芯片；(b)在所述第一主表面上方的一个将硅作为主要成分之一的硅基表面区；(c)一个在所述硅基表面区上方的栅绝缘膜；(d)在所述栅绝缘膜上方的一个将硅作为主要成分之一的硅基膜；(e)一个在所述硅基膜上方淀积的含有W2N的氮化钨膜，所述氮化钨膜具有1nm或更大的厚度，并且具有7％或更大的氮含量；以及(f)在所述氮化物膜上方的一个将钨或钼作为主要成分的耐熔金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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