[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 01823871.8 | 申请日： | 2001-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1582486A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 田势隆;佐藤朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法，在通过划片将LSI芯片从晶片分离时，不发生破片(切断面断的欠缺)，即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。另外，优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°，尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明，通过划片将LSI芯片从晶片分离时，由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片，所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片，则因构造简单而能够削减材料费和制作时间，特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
