[发明专利]用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石无效
申请号: | 01823915.3 | 申请日: | 2001-12-28 |
公开(公告)号: | CN1582257A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 福长修;大久保博;曾我部敏明;东城哲朗 | 申请(专利权)人: | 东洋炭素株式会社 |
主分类号: | C01B31/06 | 分类号: | C01B31/06;B01J3/06;C04B35/528 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郭煜;庞立志 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时,向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物,使之致密、高纯度化,降低含氢量。 | ||
搜索关键词: | 用于 合成 半导体 金刚石 石墨 材料 以及 制备 | ||
【主权项】:
1.用于合成半导体金刚石的石墨材料,所述石墨材料是在由高压合成法制备半导体金刚石中所采用的石墨材料,所述石墨材料含有硼或硼化合物。
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