[发明专利]用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法无效
| 申请号： | 02100195.2 | 申请日： | 2002-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1433959A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 葛昌纯;曹永革 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/64;C04B35/584 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SHS工艺制备高α相Si3N4粉体和Si3N4晶须的方法，对于高α相Si3N4粉体的制备，添加剂α－Si3N4含量为硅粉含量的10－100wt％，NH4F+NH4Cl+CaF2的含量为硅粉含量的1－60wt％，wt％为重量百分比，维持SHS反应的氮气压力1－30MPa；所制得的超细Si3N4粉体，其比表面在2－6m2/g范围内，等效粒径在0.3－0.9μm范围内可调。对于Si3N4晶须的制备，β－Si3N4晶须反应物成分为Si粉，β－Si3N4粉为硅粉含量的5－15wt％，硅粉含量的1－60wt％的NH4Cl和硅粉含量的0.5－5wt％的分析纯Al粉；α－Si3N4晶须的反应物成分应为Si粉，α－Si3N4粉为硅粉含量的5－15wt％和硅粉含量的1－60wt％的NH4F，反应的氮气压力应5－20MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 燃烧 合成 相超细 氮化 硅粉体 硅晶须 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自蔓延合成高α相Si3N4粉体及Si3N4晶须的方法，其特征在于：对于高α相Si3N4粉体的制备，添加剂α-Si3N4含量为硅粉含量的10-100wt％，添加剂NH4F+NH4Cl+CaF2的含量为硅粉含量的1-60wt％，wt％为重量百分比，SHS反应的氮气压力1--30MPa范围内调整；所制得的超细Si3N4粉体，通过调整添加剂加入量和配比，Si3N4粉体比表面在2-6m2/g范围内，等效粒径在0.3-0.9μm范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02100195.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：影响空气涡流纺纱设备锭子通道中轴向流动的方法
- 下一篇：对比度调整电路
