[发明专利]一种磁敏电阻金属薄膜无效
| 申请号： | 02100349.1 | 申请日： | 2002-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1433093A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王凤平;潘礼庆;吴平;田跃;邱宏 | 申请（专利权）人： | 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司;北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 金属 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种磁敏电阻金属薄膜，其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5——30at％原子百分比的氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10——1000纳米。
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