[发明专利]通过回流从较低层除去构图层的方法无效
| 申请号： | 02100950.3 | 申请日： | 2002-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1431561A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 城户秀作 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在图形转移到光致抗蚀掩模层(3)下的层(2)之后，剥离有机化合物的光致抗蚀掩模(3)，其中光致抗蚀掩模(3)首先暴露于有机溶剂的蒸汽中以通过减薄厚度，之后，光致抗蚀掩模(4)在氧等离子中灰化，由此依靠厚度的减薄在短时间段内完成了干灰化。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 回流 低层 除去 构图 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从较低层(2)除去有机化合物层(3)的方法，包括步骤：a)从所述较低层剥离所述有机化合物层，其特征在于：b)在所述步骤a)之前，对所述有机化合物层(3)进行预处理，以使所述有机化合物层(4)变形或改变有机化合物(4)的品质。
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