[发明专利]利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法有效
| 申请号： | 02100957.0 | 申请日： | 2002-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1431685A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡文彬;张庆裕;吴俊沛;陈辉煌;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法。此方法包括将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液，然后将基底置于蚀刻溶液中，使蚀刻溶液以一适当流速流经基底上的绝缘层以进行蚀刻，此绝缘层具有多个沟渠。本发明利用蚀刻溶液在表面凹凸不平的绝缘层的不同流速来使蚀刻溶液对突起处的蚀刻速率大于对凹陷处的蚀刻速率，进而达成平坦化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 向性 蚀刻 进行 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法，可应用于一基底上，该基底上具有一绝缘层，该绝缘层具有多个沟渠，其特征在于：该方法包括：将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液；以及将该基底置于该蚀刻溶液中，使该蚀刻溶液以一适当流速流经该绝缘层以进行蚀刻。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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