[发明专利]镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法无效
| 申请号： | 02100996.1 | 申请日： | 2002-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1431702A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法，提供一半导体基底；依序形成金属层及介电层；形成多数镶嵌式开口于所述介电层中；顺应性形成阻障金属/铜晶种层于所述介电层表面上；去除所述阻障金属/铜晶种层位于所述介电层上非镶嵌式开口部分，仅留下所述阻障金属/铜晶种层位于所述镶嵌式开口的侧壁与底部的部分；施行化学电镀程序，在所述阻障金属/铜晶种层的表面上形成铜金属层，用以填满所述镶嵌式开口；施行平坦化程序。有利于化学机械研磨的平坦化处理，缩短施行化学机械研磨所需的时间，并且避免研磨后碟化的问题发生的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 式内连 导线 形成 选择性 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)依序形成金属层及介电层；(3)形成多数镶嵌式开口于所述介电层中；(4)顺应性形成阻障金属/铜晶种层于所述介电层表面上；(5)去除所述阻障金属/铜晶种层位于所述介电层上非镶嵌式开口部分，仅留下所述阻障金属/铜晶种层位于所述镶嵌式开口的侧壁与底部的部分；(6)施行化学电镀程序，在所述阻障金属/铜晶种层的表面上形成铜金属层，用以填满所述镶嵌式开口；(7)施行平坦化程序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司，未经矽统科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02100996.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
