[发明专利]复晶矽/复晶矽电容的制造方法无效
| 申请号： | 02101545.7 | 申请日： | 2002-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1431697A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李世达 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种复晶矽/复晶矽电容制造方法，适用于一具有绝缘区及主动区的基底，上述复晶矽/复晶矽电容制造方法包括以下步骤：形成核电容的复晶矽下电极板在该绝缘区上及复晶矽闸极在该主动区上；在该下电极板、该闸极及该基底上，形成一第二绝缘层；在该第二绝缘层上，形成一第二导体层；以及同时蚀刻该第二导体层及第二绝缘层，形成该电容的上电极板及介电层在电容的该下电极板上。 | ||
| 搜索关键词： | 复晶矽 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复晶矽/复晶矽电容制造方法，适用于一具有绝缘区及主动区的基底，其特征在于：上述复晶矽/复晶矽电容制造方法至少包括以下步骤：形成一下电极板在该绝缘区上及一闸极在该主动区上；在该下电极板、该闸极及该基底表面上，形成一第二绝缘层；在该第二绝缘层表面上，形成一第二导体层；以及同时蚀刻该第二导体层及第二绝缘层，以形成该一上电极板及一介电层在该下电极板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
