[发明专利]含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法无效
| 申请号： | 02101806.5 | 申请日： | 2002-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1365152A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 柳仁璟;金炳晚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器器件,包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管,它具有一个栅极,连同一个非易失性存储器单元,或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 单独 晶体三极管 存储器 器件 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一个存储器器件，包括：一块基底；以及形成于基底之上的一个单独的晶体三极管，该晶体三极管具有一个栅极，连同一个非易失性存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
