[发明专利]半导体存储装置中执行部分阵列自更新操作的系统和方法

摘要

用于执行PASR(部分阵列自更新)操作的系统和方法,其中在半导体存储装置中的包括一单元阵列的一个或多个所选择的存储体的一部分(即,1/2,1/4,1/8,或1/16)上执行用于再充电所存储的数据的更新操作。一方面,通过(1)在自更新操作期间通过行地址缓冲器控制行地址的产生和(2)控制一自更新周期产生电路以调整其自更新周期输出来执行PASR操作。该自更新周期是以在PASR操作期间提供降低电流消耗的方式来调整的。另一方面,通过在自更新操作期间控制相应于部分单元阵列的一个或多个行地址来执行PASR操作,从而通过禁止一存储体的未使用存储区的激活实现了降低自更新电流的消耗。

主权项

1.一种存储装置，包括：多个存储体，每一个存储体包含有多个存储区；和一自更新控制电路，用于选择多个存储体中的一个并且在所选择的存储体的多个存储区中的一个存储区中执行自更新操作。