[发明专利]闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，此方法是在基底的存储单元区与周边电路区上形成第一氧化层。然后于第一氧化层上形成第一导体层并定义之，以形成数个浮置栅极，再于存储单元区与周边电路区上依次形成第二氧化层与氮化硅层。接着去除周边电路区上的第一导体层、第二氧化层与氮化硅层，以暴露第一氧化层，然后于存储单元区的氮化硅层上覆盖一层光阻层，且以周边电路区的第一氧化层作为牺牲氧化层，进行离子植入步骤，以在周边电路区的基底中形成一掺杂区，然后去除牺牲氧化层与光阻层。接着于基底的存储单元区与周边电路区上形成第三氧化层。最后于基底上形成一第二导体层并定义之，以同时形成存储单元区上的控制栅极与周边电路区上的栅极。

主权项

1、一种闪存的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底，且该基底分为一存储单元区与一周边电路区；于该基底的该存储单元区与该周边电路区上形成一第一氧化层；于该存储单元区与该周边电路区的该第一氧化层上形成一第一导体层；定义该存储单元区上的该第一导体层，以形成该存储单元区的多个浮置栅极；于该基底的该存储单元区与该周边电路区上依次形成一第二氧化层与一氮化硅层；去除该周边电路区上的该第一导体层、该第二氧化层与该氮化硅层，以暴露该第一氧化层；于该存储单元区的该氮化硅层上形成一光阻层；以该第一氧化层作为一牺牲氧化层，对该基底进行一离子植入步骤，以在该周边电路区形成一掺杂区；去除该牺牲氧化层；去除该光阻层；于该基底的该存储单元区与该周边电路区上形成一第三氧化层；于该基底上形成一第二导体层；以及定义该第二导体层，以同时形成该存储单元区上的一控制栅极与该周边电路区上的一栅极。