[发明专利]部分自行对准接触窗的制造方法有效
申请号: | 02102463.4 | 申请日: | 2002-01-22 |
公开(公告)号: | CN1434501A | 公开(公告)日: | 2003-08-06 |
发明(设计)人: | 钟嘉麒 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/302 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种部分自行对准接触窗的制造方法。此方法是在一基底上形成数个栅极,并于栅极侧壁形成衬层,再于衬层侧壁形成保角的氮化硅间隙壁。之后,该些栅极间的基底内形成掺杂区,再进行自行对准金属硅化工艺,以于栅极顶部与掺杂区表面形成自行对准硅化金属层。随后,于基底上形成一层介电层且覆盖这些栅极。接着,图案化此介电层,以形成一接触窗开口,并暴露出栅极间的基底上的自行对准硅化金属层。之后,于接触窗开口侧壁覆盖一接触窗间隙壁,再于接触窗开口内形成接触窗插塞。 | ||
搜索关键词: | 部分 自行 对准 接触 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种部分自行对准接触窗的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成多个栅极;于该些栅极侧壁形成一氮化硅间隙壁;于该些栅极间的该基底内形成一掺杂区;于该基底上形成一介电层,且覆盖该些栅极与该氮化硅间隙壁;图案化该介电层,以形成一接触窗开口,以暴露出该掺杂区;于该接触窗开口侧壁形成一接触窗间隙壁;以及于该接触窗开口内形成一接触窗插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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