[发明专利]部分自行对准接触窗的制造方法有效

专利信息
申请号: 02102463.4 申请日: 2002-01-22
公开(公告)号: CN1434501A 公开(公告)日: 2003-08-06
发明(设计)人: 钟嘉麒 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/28;H01L21/302
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省新竹科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种部分自行对准接触窗的制造方法。此方法是在一基底上形成数个栅极,并于栅极侧壁形成衬层,再于衬层侧壁形成保角的氮化硅间隙壁。之后,该些栅极间的基底内形成掺杂区,再进行自行对准金属硅化工艺,以于栅极顶部与掺杂区表面形成自行对准硅化金属层。随后,于基底上形成一层介电层且覆盖这些栅极。接着,图案化此介电层,以形成一接触窗开口,并暴露出栅极间的基底上的自行对准硅化金属层。之后,于接触窗开口侧壁覆盖一接触窗间隙壁,再于接触窗开口内形成接触窗插塞。
搜索关键词: 部分 自行 对准 接触 制造 方法
【主权项】:
1、一种部分自行对准接触窗的制造方法,其特征是,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成多个栅极;于该些栅极侧壁形成一氮化硅间隙壁;于该些栅极间的该基底内形成一掺杂区;于该基底上形成一介电层,且覆盖该些栅极与该氮化硅间隙壁;图案化该介电层,以形成一接触窗开口,以暴露出该掺杂区;于该接触窗开口侧壁形成一接触窗间隙壁;以及于该接触窗开口内形成一接触窗插塞。
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