[发明专利]加强散热式晶片嵌入朝下球型阵列载板结构及制造方法有效
申请号: | 02102511.8 | 申请日: | 2002-01-23 |
公开(公告)号: | CN1434495A | 公开(公告)日: | 2003-08-06 |
发明(设计)人: | 张谦为;黄胜川 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/12 |
代理公司: | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人: | 刘克宽 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明以多层板中的金属补强片为基础,公开了一种加强散热式晶片嵌入朝下球形阵列载板结构及制造方法。达到以金属补强片配合IC封装需求,可弹性调整补强片厚度,以提供支撑板弯,板翘及提高散热功率的设计运用。本发明结构设计更可利用电镀镍/金的表面处理工艺,使得可利用不需拉电镀导电线的布线设计全板镀金制作无导电线的电镀镍/金的表面处理的工艺技术,及利用以雷射钻微下孔增层制作导孔的方式减少雷镀导线的布线空间,该多出空间可增加其它I/O布局需求的应用。而且其微小导通孔布局可为完全对称,堆叠性式,逐层增设式等变化运用。 | ||
搜索关键词: | 加强 散热 晶片 嵌入 朝下 阵列 板结 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种雷射钻孔加强散热式晶片嵌入朝下球型阵列载板的制造方法,包括:提供一第一基板,该第一基板上下表面预先形成一第二金属层与一第三金属层,以形成内层线路;再以一干膜影像转移的方式,蚀刻该第二金属层形成一第二金属层线路,并开雷射光罩于该第三金属层上形成一多个第三雷射光罩开口;压合一第二基板,于该第二金属层线路表面上压合一第二基板,并于该第二基板上形成一第一金属层,以形成外层线路;雷射钻孔形成第三通孔,是以雷射钻孔方式于该第三金属层至该第二金属层间形成一多个第三通孔,或于该第三金属层至第一金属层间形成一多个第三通孔;并于该第三通孔中镀金属材料后,接着以一干膜影像转移的方式蚀刻该第三金属层形成一第三金属层线路;压合一第三基板,于该第三金属层线路表面压合一第三基板,且该第三基板中是具有一个或一个以上的金属补强片构造,该金属补强片材料可为一铜(Cu)、铝(Al)或其它合金,以提供支撑板弯,板翘及提高散热功率的设计运用,再以一干膜影像转移的方式开雷射光罩于该第一金属层上形成一多个第一雷射光罩开口;雷射钻孔形成第一通孔,是以雷射钻孔方式于该第一金属层至该第二金属层间形成一多个第一通孔,并于该第一通孔中镀金属材料后,接着以一干膜影像转移的方式于该第一金属层上电镀镍金,接着对该金属层进行线路蚀刻,形成一第一金属层线路;形成一防焊阻剂,是以一印刷喷涂或混涂等方式,将该防焊阻剂形成于该第一金属层线路表面,且将该第一、第二与第三基板切孔形成一晶片嵌入区域,并压合一散热片于该第三基板的一侧,作为散热之用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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