[发明专利]闪存隧穿氧化层的测试元件及方法

摘要

一种闪存隧穿氧化层的测试元件及方法，此测试方法首先提供一测试元件，其中此测试元件具有一扩散区、形成在扩散区上方的一浮置栅极以及形成于扩散区与浮置栅极之间的一隧穿氧化层。此外，在测试元件周围的浮置栅极上形成有数个浮置栅极接触窗，且在测试元件周围的扩散区上形成有数个扩散区接触窗。之后，于浮置栅极接触窗施加一第一偏压，并于扩散区接触窗施加一第二偏压，以测试隧穿氧化层的品质。

主权项

1、一种闪存隧穿氧化层的测试方法，其特征是，该方法至少包括：提供一测试元件，该测试元件包括一扩散区，形成在该扩散区上的一浮置栅极以及形成于该扩散区与该浮置栅极之间的一隧穿氧化层，其中在该浮置栅极的周围形成有多个浮置栅极接触窗，且形成有该些浮置栅极接触窗的该浮置栅极下方并未形成有该扩散区，另外在该扩散区周围形成有多个扩散区接触窗；以及于该些浮置栅极接触窗施加一第一偏压，并于该些扩散区接触窗施加一第二偏压，以测试该隧穿氧化层。