[发明专利]制造阵列波导器件的方法及装置有效
| 申请号： | 02102697.1 | 申请日： | 2002-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1405586A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈杰良;吕昌岳;姚一鼎 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种制造阵列波导光栅器件的方法及装置，是采用高密度等离子体技术，以消除传统加工方法如金属有机化学气相沉积(MOCVD)与等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)使用有毒的化学物质而产生的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 阵列 波导 器件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一制造阵列波导光栅器件的方法，其特征在于它包括以下步骤：1)将SiO2薄膜以离子束溅射或离子镀覆于基底；2)将掺有GeO2的SiO2薄膜以离子束溅射或离子镀覆于SiO2薄膜，其中，经掩膜及反应离子蚀刻将掺有GeO2的SiO2薄膜区分为几个隔开的片段；3)将SiO2+P2O5+B2O3薄膜以离子束溅射或离子镀覆于掺有GeO2的SiO2薄膜上以隔离掺有GeO2的SiO2薄膜；4)将SiO2外覆层以离子束溅射或离子镀覆于基底上。
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