[发明专利]半导体元件的图案转移的方法有效
| 申请号： | 02103086.3 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1437070A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;吴义镳 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种新的半导体元件的图案转移的方法。首先，进行一校调步骤以调整所需的第一光学参数与一第二光学参数，以改变主特征的曝光波峰的两侧峰的位置并使得主特征的曝光波峰与其相邻侧峰相互部分重叠。然后，借助一具有半透光特性的光罩进行一微影工艺步骤以便于图案转移半导体元件，其中，具有半透光特性的光罩能使得侧峰强度约等于主特征的曝光波峰的强度。借此，本发明可缩小解析周期以形成具有较小的临界尺寸(CD)的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 图案 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微影工艺的曝光波峰的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一用于微影工艺的一主特征的第一曝光波峰，该第一曝光波峰的一侧边具有一侧峰；以及进行一校调步骤以改变一第一光学参数与一第二光学参数，并调整该第一曝光波峰的该侧峰所在的位置且形成数个第二曝光波峰。
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